功能：

集成电路单粒子效应激光试验测试仪可用于宇航用硅基、宽禁带工艺（GaN、SiC等工艺）：

•  器件及载荷的抗单粒子效应能力的定量评估与筛选、加固验证

• 器件单粒子效应敏感部位扫描测绘

• 器件及载荷的定时、定点、指定类型单粒子效应故障注入

• 器件单粒子效应原始电荷脉冲测试采集

核心能力指标：

• 试验器件类型：裸芯片、正面开封装器件（少于3-4层金属布线）倒封装及背部开封装器件等（硅衬底厚度小于800 μm无需减薄，SiC工艺器件衬底厚度小于200μm无需减薄）

• 单粒子效应试验等效LET值范围：0.5—120MeV•cm²/mg；定量测试单粒子锁定效应阈值不确定度：≤25%

• 单粒子效应薄弱点定位精度：≤2μm；敏感区域测绘分辨率：≤0.1μm

• 单粒子效应收集电荷脉冲测量宽度：≤100 ps

典型应用实例：

    已应用于国内外近80家单位的约800种器件试验，为国内宇航用抗辐射核心器件研发、航天装备元器件抗辐射选用及防护设计、新型器件辐射效应机理研究，提供了大量、便捷、精细的单粒子效应试验支持

联系人：

   马英起：  010-62582862

   上官士鹏: 010-62582657

   王添:    010-62586412

集成电路单粒子效应激光试验测试仪（左）配套软件（右）