空间抗辐射平台 空间辐射效应三维仿真
高可靠集成电路仿真和设计平台

  空间辐射环境可能引起电子元器件的单粒子效应、位移损伤效应、总剂量效应以及充放电效应等,影响器件的性能,造成器件功能失效甚至烧毁,严重威胁电子器件空间应用可靠性和稳定性的重要因素开展电子元器件空间辐效应仿真研究有助于深入理解多种辐射效应对电子器件性能的影响,理解辐射效应的机理,为器件抗辐加固设计提供理论指导。目前建造的高可靠集成电路仿真和设计平台,具备了高能粒子与半导体材料相互作用过程仿真能力,可以分析不同能量粒子入射后与各种半导体材料相互作用过程;具备典型器件的总剂量、单粒子、位移损伤、充放电等辐射效应仿真能力,可以实现对不同工艺,不同结构电子元器件的各种辐射效应的仿真分析,特别是针对一些新工艺、新材料新结构的器件(例如GaN HEMTSiC MOSFET等)的仿真分析;具备宽禁带分立器件、数字逻辑电路高可靠设计能力,可以实现高可靠器件的仿真设计。

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