空间抗辐射平台 辐照试验设施
集成电路核瞬态剂量率效应激光试验测试仪

  利用现代高功率脉冲激光技术,突破大光斑照射器件诱发光电流的模型及调控技术,发展器件级瞬态辐射效应摸底试验技术,具有高剂量率&可调、定量摸底评估等显著特色,为抗核辐射的器件研制和装备应用提供新颖的试验支持。

试验服务:

  • 获取瞬态剂量率最敏感阈值,得到不同敏感区域的敏感分布特征

  • 激光试验、闪光试验及仿真研究模拟器件剂量率瞬态效应

  • 激光等效剂量率范围精细调节,对比验证相关加固设计效果

  • 抓取CMOS工艺器件闩锁电流的特殊变化曲线等

核心参数:

  • 可模拟1.7×108 - 2.2×1013 Rad(Si)/s范围瞬态剂量率效应

  • 可实现200 mm2大小的全芯片面积辐照

联系人:

  马英起: 010-62582862  13426376118

  陈钱:  18810202093

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