利用现代高功率脉冲激光技术，突破大光斑照射器件诱发光电流的模型及调控技术，发展器件级瞬态辐射效应摸底试验技术，具有高剂量率&可调、定量摸底评估等显著特色，为抗核辐射的器件研制和装备应用提供新颖的试验支持。

试验服务：

• 获取瞬态剂量率最敏感阈值，得到不同敏感区域的敏感分布特征
  

• 激光试验、闪光试验及仿真研究模拟器件剂量率瞬态效应

• 激光等效剂量率范围精细调节，对比验证相关加固设计效果

• 抓取CMOS工艺器件闩锁电流的特殊变化曲线等

核心参数：

• 可模拟1.7×10⁸ - 2.2×10¹³ Rad(Si)/s范围瞬态剂量率效应

• 可实现200 mm²大小的全芯片面积辐照

联系人：

  马英起： 010-62582862

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