空间抗辐射平台 辐照试验设施
集成电路单粒子效应激光试验测试仪

功能:

集成电路单粒子效应激光试验测试仪可用于宇航用硅基、宽禁带工艺(GaN、SiC等工艺):

  •  器件及载荷的抗单粒子效应能力的定量评估与筛选、加固验证

  • 器件单粒子效应敏感部位扫描测绘

  • 器件及载荷的定时、定点、指定类型单粒子效应故障注入

  • 器件单粒子效应原始电荷脉冲测试采集

核心能力指标:

  • 试验器件类型:裸芯片、正面开封装器件(少于3-4层金属布线)倒封装及背部开封装器件等(硅衬底厚度小于800 μm无需减薄,SiC工艺器件衬底厚度小于200μm无需减薄)

  • 单粒子效应试验等效LET值范围:0.5—120MeV•cm2/mg;定量测试单粒子锁定效应阈值不确定度:≤25%

  • 单粒子效应薄弱点定位精度:≤2μm;敏感区域测绘分辨率:≤0.1μm

  • 单粒子效应收集电荷脉冲测量宽度:≤100 ps

典型应用实例:

    已应用于国内外近80家单位的约800种器件试验,为国内宇航用抗辐射核心器件研发、航天装备元器件抗辐射选用及防护设计、新型器件辐射效应机理研究,提供了大量、便捷、精细的单粒子效应试验支持

 

联系人:

   马英起:  010-62582862  13426376118

   上官士鹏: 010-62582657  13426220074

   王添:    010-62586412  13552225609

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集成电路单粒子效应激光试验测试仪(左)配套软件(右)